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everspin非易失性存储器MR4A16B

 

磁性随机存储器(MRAM)和集成磁(Integrated Magnetic)产品的领导厂商everspin科技公司16Mb MRAM,进一步强化了该公司在MRAM领域的领导地位。现在所有需要无电数据保持以及SRAM性能的应用都可使用具有非挥发性、高性能、以及高可靠性优势的MRAM技术。 
MR4A16B是一款3.3V、并行I/O非挥发RAM,其超快的存取周期仅为35ns,并允许无限制的读/写循环。在每次写入后,资料能持续保存超过20年。此外与其它存储器不同,MRAM还可免除因宇宙射线所产生的软错误率(SER,softerrorrate)。这款16Mb MRAM由位宽为16的1048576个字组成。引脚和功能可与异步SRAM兼容。MR4A16B目标应用为工业自动化、机器人、网络和数据储存、多功能打印机、以及其它许多传统受限于需采用SRAM设计的系统。 
MR4A16B提供小尺寸48引脚球栅阵列(BGA)封装和54引脚的薄形小尺寸(TSOPII)封装两种形式。这些封装均能与相似的低功率SRAM产品和其它非挥发RAM产品兼容。
 16Mb MRAM系列包括商业级(0℃至+70℃)和工业级(-40℃至+85℃)两种温度范围。价格咨询请联系Everspin销售部和代理商。
Everspin的mram芯片技术是具备高可靠性、快速读/写、即时开启、非挥发性、和无限次擦除等特性。加入新的16Mb MRAM成员后,现在Everspin的产品组合包括提供BGA和TSOP两种可选封装、容量从256Kb到16Mb的8位和16位并行I/O产品,以及采用DFN封装、容量从256Kb到1Mb的串行I/O产品。

本文由【英尚微电子】发布于开源中国,原文链接:https://my.oschina.net/sramsun/blog/3159496

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